セラミック材料
TaCコーティング
究極の耐熱性と耐薬品性
モメンティブ・テクノロジーズ独自のカーバイドコーティングは、過酷な半導体および化合物半導体材料の加工において、グラファイトに卓越した保護を提供します。 その結果、グラファイトコンポーネントの寿命が延び、反応化学量論が維持され、エピタキシーおよび結晶成長アプリケーションへの不純物移行が抑制され、歩留まりと品質が向上します。
特徴と利点
- 2000℃を超える温度安定性により、超高温動作が可能
- H2、NH3、SiH4、およびSiに対する耐性により、過酷な化学環境での保護を実現
- 熱衝撃への耐性が運転サイクルを加速
- グラファイトへの強力な接着性により、コーティングの剥離がなく長寿命を実現します。
- 超高純度により、不要な不純物やコンタミネーションを排除します。
- コンフォーマルコーティングで厳しい寸法公差を実現
当社の炭化タンタル(TaC)および炭化ニオブ(NbC)コーティングは、高温(最高2200℃)の炉や反応器の主要部品を、高温のアンモニア、水素、シリコンの蒸気や溶融金属から保護します。 モメンティブ・テクノロジーは、お客様のカスタマイズされた要件に対応するために、幅広いグラファイト加工および測定能力により、有料コーティングまたはフルサービスベースでコーティングを提供することができます。
TaCコーティングと高純度リサーチグレードグラファイトの比較
| B | N | O | Si | S | Cl | Nb | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
< 0.01 |
15 |
40 |
< 0.01 |
< 0.01 |
14 |
14 |
|
グラファイト |
1 |
480 |
260 |
2 |
5 |
2 |
< 0.01 |
典型的な値。
TaCコーティンググラファイトルツボと従来のグラファイトルツボで成長させたSiCウェハーの代表的な電気的特性の比較
| 密度 (gm/cm3) | 放射率 | CTE (× 10-6/K) | 硬度 (HK) | 抵抗率 (Ohm-cm) | 耐熱性 | 厚みのばらつき | グラファイトの寸法変化 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1x10-5 |
> 2200°C |
-5% |
-17µm |
典型的な値。
TaCコーティングの典型的な物性
| 容積濃度 | 体抵抗率 | 流動性 | |
|---|---|---|---|
|
TaC |
8 x1015/cm |
4.5 Ω・cm |
237cm2/Vs |
|
グラファイト |
5 x1017/cm |
0.1Ω・cm |
151cm2/Vs |
典型的な値。
TaC vs.SiC
| 密度 (gm/cm3) | 放射率 | CTE (× 10-6/K) | 硬度 (HK) | 抵抗率 (Ohm-cm) | 耐熱性 | NH3でのエッチング速度 (µm/hr) | H2でのエッチング速度 (µm/hr) | 厚みのばらつき | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1x10-5 |
> 2200°C |
0.2 |
0.1 |
-5% |
|
SiC |
3.2 |
0.8 |
4.5 |
2800 |
2x10-3 |
< 1600°C |
1.5 |
1.7 |
-10% |
典型的な値。
このチャートに記載の情報は、情報提供のみを目的としています。 この情報は、製品や材料を推奨するものではなく、特定の使用ケースやニーズに情報を適用する際には、お客様ご自身の専門知識と専門的な判断を用いていただくことを明示的な条件として、お客様に提供されています これは一般的な情報のみであり、その有効性は、モメンティブ・テクノロジーズが把握していない個々の要因によって影響を受ける可能性があります。 この情報を使用する方は、特定の状況に関して適切な解釈と適用を行う責任があります。
主な用途
- ウェハーキャリア、サテライトディスク、シャワーヘッド、天井、サセプターを含むGaNおよびSiCエピタキシャルCVDリアクター部品
- るつぼ、シードホルダー、ガイドリング、フィルターなどのSiC、GaN、AlN結晶成長コンポーネント
- 抵抗発熱体、射出ノズル、マスキングリング、ろう付け治具などの工業用部品
