セラミック材料
TaCコーティング
究極の耐熱性と耐薬品性
モメンティブ・テクノロジーズ独自のカーバイド・コーティングは、半導体や化合物半導体材料加工の過酷な環境において、グラファイトへの非常に優れた保護膜として活躍します。グラファイト部材の寿命を延ばし、エピタキシーや結晶成長用途への不純物の移行を抑え、歩留まりや品質の向上を実現します。
特徴と利点
- 2000℃以上の温度安定性で超高温動作を実現
- H2、NH3、SiH4、Siへの耐性により、過酷な化学環境下での保護を提供
- 熱衝撃への耐性によるスループットの向上
- グラファイトとの高接着性により、コーティングの剥離がなく長寿命を確保
- 超高純度が不純物や汚染を防止
- コンフォーマルコーティングのカバレッジは、厳密な寸法公差を達成
当社のタンタルカーバイド（TaC）および炭化ニオブ（NbC）コーティングは、高温（2200℃まで）のリアクターの主要部品を、高温のアンモニア、水素、シリコンの蒸気や溶融金属から保護します。お客様のご要望にお応えするため、グラファイトの機械加工および測定の多岐にわたる手腕を活かし、コーティングのみの受託はもちろん、フルサービス（設計、グラファイト入手からコーティングまで）で提供することも可能です。また、専門のエンジニアチームが、お客様の特定の用途に適したソリューションを設計するお手伝いをいたします。
TaCコーティングと高純度リサーチグレードグラファイトの比較
| B | N | O | Si | S | Cl | Nb | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
<0.01 |
15 |
40 |
<0.01 |
<0.01 |
14 |
14 |
|
グラファイト |
1 |
480 |
260 |
2 |
5 |
2 |
<0.01 |
典型的な値。
TaCコーティンググラファイトルツボと従来のグラファイトルツボで成長させたSiCウェハーの代表的な電気的特性の比較
| 密度 (gm/cm3) | 放射率 | CTE (xl0-6/K) | 硬度 (HK) | 抵抗率 (Ohm-cm) | 耐熱性 | 厚みのばらつき | グラファイトの寸法変化 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1x10-5 |
>2200°C |
-5% |
-17µm |
典型的な値。
TaCコーティングの典型的な物性
| 容積濃度 | 体抵抗率 | 流動性 | |
|---|---|---|---|
|
TaC |
8 x 1015/cm |
4.5 Ω・cm |
237 cm2/Vs |
|
グラファイト |
5 x 1017/cm |
0.1Ω・cm |
151 cm2/Vs |
典型的な値。
TaC vs.SiC
| 密度 (gm/cm3) | 放射率 | CTE (xl0-6/K) | 硬度 (HK) | 抵抗率 (Ohm-cm) | 耐熱性 | NH3でのエッチング速度 (µm/hr) | H2でのエッチング速度 (µm/hr) | 厚みのばらつき | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TaC |
14.3 |
0.3 |
6.3 |
2000 |
1x10-5 |
>2200°C |
0.2 |
0.1 |
-5% |
|
SiC |
3.2 |
0.8 |
4.5 |
2800 |
2x10-3 |
<1600°C |
1.5 |
1.7 |
-10% |
典型的な値。
これらのチャートで提供される情報は、情報提供のみを目的としています。製品または材料の推奨事項ではなく、特定のユースケースまたはニーズに情報を適用する際に、独自の専門知識と専門的な判断を用いるという明示的な条件下で共有されています。これは一般的な情報のみであり、その有効性はモメンティブ・テクノロジーズが把握していない個々の要因によって影響を受ける可能性があります。特定の状況に関する適切な解釈と適用が確実に行われるようにすることは、この情報を使用する方の責任となります。
主な用途
- GaNおよびSiCエピタキシャルCVDリアクター部品（ウェハーキャリア、サテライトディスク、シャワーヘッド、シーリング、サセプタなど ）
- SiC、GaN、AlN結晶成長部品（ルツボ、シードホルダー、ガイドリング、フィルターなど）
- 工業部品（抵抗発熱体、噴射ノズル、マスキングリング、ろう付け治具など）
